ＳｉＣのLPE（液相法）成長は、格子欠陥の抑制、成長効率の向上、成長温度の低温維持、消費電力削減などの利点があります。N型SiCのみならず、P型結晶成長も可能です。
抵抗加熱方式を使用することで、絶縁体の表面部分の加熱を回避し、SiCの表面温度をより均一な状態に保ちます。抵抗加熱方式は温度調整が容易でより精密な制御を行うことができるため炉内の温度変動が少なく、大型SiC結晶の品質が安定します。
