製品の特徴

  • 8インチSiC結晶成長に対応
  • チャンバー内面研磨処理により、付着物を抑制して高真空を実現
  • より正確な圧力制御技術、結晶成長過程の圧力変動＜5Pa
  • 複数ホットゾーンの設計により、軸方向・半径方向の温度調整が容易
  • るつぼ軸冷却水の流量制御精度向上により、温度はより安定化
  • るつぼの昇降・回転機能搭載により、厚膜結晶成長の温度制御が容易
  • るつぼの出し入れ専用の工具で、メンテナンス安全・便利
  • 自動制御システム対応、豊富なUI、操作権限設定可能、遠隔操作可能

技術パラメータ

チャンバ内部サイズ
Φ850×800mm
総加熱電力
55kW
最高温度
2400℃
るつぼ軸の昇降速度
プロセス速度：0.01-0.5mm/h
早送り速度：360-18000mm/h
到達真空圧力
1.4×10-4Pa
圧力制御精度
±0.5％
使用電源
3P 380VAC，95kVA
使用圧力
Ar、He、N2，圧力＞0.2MPa
圧縮空気、圧力0.4-0.6MPa
使用冷却水
圧力0.3-0.5MPa
流量150L/min
サイズ
2300×2000×3000mm（るつぼ取出しウインチ等を含まない）
3400×2000×3000mm（るつぼ取出しウインチ等含む）
重量
3900kg