ワイドギャップ半導体：SiC
- 広い禁制帯幅、高絶縁破壊電界強度、高熱伝導率、高電子飽和ドリフト率
- 高電力、高周波、高電圧の条件下で低損失で動作することは、パワーエレクトロニクスと高周波デバイスの「要」です。
SiC応用-1：SiCパワーデバイス
- 応用領域：新エネルギー車、充電インフラ整備、太陽光発電、UPSなど。
- 世界のSiCパワーデバイス市場規模は、2027年に60億米ドルを超え、CAGRは約34%になると予想されています。
SiC応用-2：通信用GaN-On-SiC高周波デバイス
- 作動温度の抑制
- ハイパフォーマンス
- 長寿命
- 小型化
- 5G基地局
- 衛星通信
- モバイル通信
- 国防情報通信局
SiC基板：SiCパワーデバイスの価値を47%決める
- SiCパワーデバイスの平均コストでは、基板が40%以上を占め、最も高い割合を占めています。
- Wolfspeedは、世界のSiC基板市場は2026年に17億米ドルに達し、CAGRは約45%になると予測しています。
SiC結晶成長技術
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| 成長温度 | 2200℃ | 1500-2200℃ | 1460-1800℃ |
| 成長速度 | 0.2-0.4mm/h | 0.3-1.0mm/h | 0.5-2.0mm/h |
| メリット | 成熟した技法 装置構造を簡略化しやすい |
高純度 長尺成長による収量増 |
高品質 成長可能なP型 |
| 今後の課題 | 良品率 低 | コスト 高 | 金属汚染 |
抵抗加熱による大型SiC結晶成長の解決
主な挑戦：放射状の温度差抑制
誘導加熱
コストが安くなる。
表皮効果：導体の「表面」に誘導電流が集中する。サイズが大きいほど、表皮効果が顕著になる。
るつぼ内部の材料分布が変化し、誘導電流分布、周波数に影響し、温度不安定、温度場制御が困難になる。
抵抗加熱
表皮効果なし。
るつぼ内の材質変化の影響を受けず、精密な温度制御が可能であり、温度場の制御が容易である。
コストは高くなる。
液相SiC結晶成長のメリット
| 欠陥種類 | PVTウェーハ | LPEウェーハ * |
|---|---|---|
| マイクロチューブ | 0.5 | 0 |
| TSD（ねじ転位） | 600 | 11 |
| TED（エッジ転位） | 3000 | 204 |
| BPD（基底面転位） | 1000 | 64 |
長結晶プロセスサポート
- 種結晶の背面コーティング
- 種結晶の接着
- PVT長結晶熱場
- PVT長晶基礎工程
- LPE長晶熱場
- LPE長晶基礎工程
- 結晶加工サービス
- 数値シミュレーションサービス
