製品の特徴

  • 6インチ以上のSiC結晶成長に対応
  • 正圧設計、チャンバー圧力は最高180kPaまで可能、溶液の揮発を抑制
  • チャンバー内面研磨処理により、付着物を抑制して高真空を実現
  • チャンバ内清浄度維持に有利な二段式設計
  • より正確な圧力制御技術、結晶成長過程の圧力変動＜5Pa
  • 二重加熱システムにより、溶液のより均一な温度維持を実現
  • 種結晶軸、るつぼ軸の冷却水流量精度向上により、温度はより安定
  • 種結晶の回転、るつぼの回転、加熱コイル昇降などの操作可能
  • 種結晶の回転、るつぼの回転はプログラムで制御可能
  • 駆動部の繰り返し位置決め偏差<10um
  • 自動制御システム対応、豊富なUI、操作権限設定可能、遠隔操作可能

技術パラメータ

チャンバ内部サイズ
Φ900×1200mm
総加熱電力
100kW
熱場の最大直径
520mm
最高温度
2200℃
種結晶引き抜き速度
プロセス速度：0.01-5mm/h
早送り速度：360-18000mm/h
種結晶回転
1-100rpm，回転モードプログラマブル
るつぼ回転速度
1-100rpm，回転モードプログラマブル
コイル昇降速度
プロセス速度：0.01-5mm/h
早送り速度：360-18000mm/h
使用電源
3P 380VAC，112kVA
3P 380VAC，24kVA
3P 380VAC，15kVA
使用圧力
Ar、He、N2，圧力＞0.2MPa
圧縮空気、圧力0.4-0.6MPa
使用冷却水
圧力0.3-0.5MPa
流量200L/min
サイズ
1800×1500×4400mm（るつぼ取出しウインチ等を含まない）
4080×3050×4400mm（るつぼ取出しウインチ等を含む）
重量
4000㎏